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IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50P MOSFET, CAN N, 500V, 26A, TO-247


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N. Articolo:
     8585-3438379
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFH26N50P
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.23 ohm Gamma di prodotti PolarHV HiPerFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 26 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 400 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFH26N50P, 3438379, 343-8379
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Dissipatore Fischer Elektronik 25 x 32.3 x 28mm, 7.5K/W
Fischer Elektronik
SK 574/25 SA
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Accessori
Pad interfaccia termica Bergquist in Fibra di vetro, 25.4 x 19.05mm, spessore 0.178mm, 0.9W/m·K
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Accessori
Pad interfaccia termica Bergquist in Hi-Flow 625, 25 x 19mm, spessore 0.127mm, 0.5W/m·K, Adesivo
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a partire da € 53,42*
Accessori
Pad interfaccia termica Bergquist in Poliimmide a pellicola sottile, 25.4 x 19.05mm, spessore 0.152mm, 1.3W/m·K
Bergquist
SPK10-0.006-00-104
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Accessori
Saldatore RS PRO mod. KD-40, a , 40W, 230V
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