Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3438411 N. Art. Produtt.: IXTH10P60 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 10 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 300 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (12-Jan-2017) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTH10P60, 3438411, 343-8411 |
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