Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3438530 N. Art. Produtt.:
PMH260UNEH EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.26 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DFN0606 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 360 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 700 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMH260UNEH, 3438530, 343-8530 |
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