Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3440064 N. Art. Produtt.:
PMPB20XNEAZ EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.016 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 7.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DFN2020MD Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 460 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMPB20XNEAZ, 3440064, 344-0064 |
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| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | | | a partire da € 0,58* | | | | Il prezzo è valido a partire da 30.000 pacchetti | | | | | | 1 pacchetto contiene 5 pezzi (a partire da € 0,116* per pezzo) | | | | | Scegli condizioni | | | | | | | | Prezzi progressivi | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | a partire da 10 pacchetti | | | | a partire da 20 pacchetti | | | | a partire da 50 pacchetti | | | | a partire da 100 pacchetti | | | | a partire da 200 pacchetti | | | | a partire da 1000 pacchetti | | | | a partire da 30000 pacchetti | | | |
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