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NEXPERIA PSMN2R2-30YLC,115 MOSFET, CAN N, 30V, 100A, LFPAK56
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3440107
Produttore:
Nexperia
N. Art. Produtt.:
PSMN2R2-30YLC,115
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0018 ohm Gamma di prodotti NextPower Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK56 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 141 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.49 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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