Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3580399 N. Art. Produtt.: SP8K24HZGTB EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione drain-source (Vds) canale N 45 V Corrente di drain continua (Id) canale P 6 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 45 V Corrente di drain continua (Id) canale N 6 A Resistenza RdsON canale N 0.018 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.018 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ROHM, SP8K24HZGTB, 3580399, 358-0399 |
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