Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3585620 N. Art. Produtt.:
PMPB14R7EPX EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0145 ohm Gamma di prodotti Trench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DFN2020M Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1.9 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMPB14R7EPX, 3585620, 358-5620 |
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