Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3680121 N. Art. Produtt.:
DMN2015UFDF-7 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0068 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 11.6 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor U-DFN2020 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.8 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, DIODES INC., DMN2015UFDF-7, 3680121, 368-0121 |
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