Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-3748634 N. Art. Produtt.: NXV100XPR EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.104 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 1.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 480 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 600 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, NXV100XPR, 3748634, 374-8634 |
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| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | | | a partire da € 0,358* | | | | Il prezzo è valido a partire da 2.500.000 pacchetti | | | | | | 1 pacchetto contiene 5 pezzi (a partire da € 0,0716* per pezzo) | | | | | Scegli condizioni | | | | | | | | Prezzi progressivi | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | a partire da 20 pacchetti | | | | a partire da 50 pacchetti | | | | a partire da 100 pacchetti | | | | a partire da 200 pacchetti | | | | a partire da 500 pacchetti | | | | a partire da 1000 pacchetti | | | | a partire da 2500000 pacchetti | | | |
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