Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-3766199 N. Art. Produtt.: NTBGS004N10G EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.003 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 203 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 340 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTBGS004N10G, 3766199, 376-6199 |
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