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VISHAY IRFBC40PBF MOSFET, CANALE N, 600V, 6.2A, TO-220


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N. Articolo:
     8585-3772676
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFBC40PBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.2 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 6.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 125 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (19-Jan-2021)
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, IRFBC40PBF, 3772676, 377-2676
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