VISHAY SQ3460EV-T1_GE3 MOSFET, CANALE N, 20V, 8A, TSOP

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.025 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TSOP Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 3.6 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 600 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised