Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3778159 N. Art. Produtt.: RRR040P03HZGTL EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.032 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-346T Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RRR040P03HZGTL, 3778159, 377-8159 |
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