Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3798133 N. Art. Produtt.: STB30N65DM6AG EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.102 ohm Gamma di prodotti MDmesh DM6 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 28 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 223 W Qualificazioni AEC-Q101 |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STB30N65DM6AG, 3798133, 379-8133 |
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