Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3879352 N. Art. Produtt.: SI3473CDV-T1-GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.016 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSOP Tensione Drain Source Vds 12 V Dissipazione di potenza 4.2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 400 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI3473CDV-T1-GE3, 3879352, 387-9352 |
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