Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3930487 N. Art. Produtt.:
IXFT220N20X3HV EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0052 ohm Gamma di prodotti serie X3-Class HiPerFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 220 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-268HV Tensione Drain Source Vds 200 V Dissipazione di potenza 890 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2022) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, LITTELFUSE, IXFT220N20X3HV, 3930487, 393-0487 |
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