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ROHM RQ6E080AJTCR MOSFET, CAN N, 30V, 8A, 150°C, 1.25W


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N. Articolo:
     8585-3934710
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RQ6E080AJTCR
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0125 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-457T Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1.25 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ROHM, RQ6E080AJTCR, 3934710, 393-4710
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