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ROHM SH8J66TB1 MOSFET, DUAL, CAN P, 30V, 9A, 150°C, 2W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3934725
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SH8J66TB1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 9 A Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 9 A Resistenza RdsON canale N 0.0135 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.0135 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ROHM, SH8J66TB1, 3934725, 393-4725
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