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ROHM SH8MA4TB1 MOSFET, CAN N/P, 30V, 9A, 150°C, 3W
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3934727
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
SH8MA4TB1
EAN/GTIN:
n.d.
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Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 9 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 9 A Resistenza RdsON canale N 0.0165 ohm Tipo di canale canale N e P Resistenza RdsON canale P 0.0165 ohm Dissipazione di potenza canale N 3 W Dissipazione di potenza canale P 3 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Doppi
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ROHM
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