Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3940770 N. Art. Produtt.:
PMV45EN2VL EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.042 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5.1 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-236AB Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1.115 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMV45EN2VL, 3940770, 394-0770 |
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