Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3943492 N. Art. Produtt.: DMG4413LSS-13 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0063 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 12 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1.7 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: mosfet 12a, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., DMG4413LSS-13, 3943492, 394-3492 |
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