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ROHM SH8K32TB1 MOSFET, DOPPIO CANALE N, 60V, 2W, SOP


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N. Articolo:
     8585-3976639
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SH8K32TB1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 4.5 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 4.5 A Resistenza RdsON canale N 0.046 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.046 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, ROHM, SH8K32TB1, 3976639, 397-6639
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