Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4069588 N. Art. Produtt.: RS6L090BGTB1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0036 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 90 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor HSOP Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 73 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RS6L090BGTB1, 4069588, 406-9588 |
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