Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4078666 N. Art. Produtt.: PSMN028-100HSX EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 29 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 29 A Resistenza RdsON canale N 0.0215 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0215 ohm Dissipazione di potenza canale N 64 W Dissipazione di potenza canale P 64 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK56D Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, NEXPERIA, PSMN028-100HSX, 4078666, 407-8666 |
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