NEXPERIA PSMN028-100HSX MOSFET, CANALE N, 100V, 29A, LFPAK56D

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 29 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 29 A Resistenza RdsON canale N 0.0215 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0215 ohm Dissipazione di potenza canale N 64 W Dissipazione di potenza canale P 64 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK56D Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)