Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-4078668 N. Art. Produtt.:
PSMN033-100HLX EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 26 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 26 A Resistenza RdsON canale N 0.0256 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0256 ohm Dissipazione di potenza canale N 64 W Dissipazione di potenza canale P 64 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK56D Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, NEXPERIA, PSMN033-100HLX, 4078668, 407-8668 |
| | |
| |