Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4134276 N. Art. Produtt.:
PMPB09R1XNX EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0091 ohm Gamma di prodotti TrenchMOS Series Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 13 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DFN2020M Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 3 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 900 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMPB09R1XNX, 4134276, 413-4276 |
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