Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-4158114 N. Art. Produtt.:
RS3P070ATTB1 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.028 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Stile di Case del Transistor SOP Corrente Continua di Drain Id 7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RS3P070ATTB1, 4158114, 415-8114 |
| | |
| |