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ROHM RX3G07BBGC16 MOSFET, CANALE N, 40V, 130A, TO-220AB


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4158115
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RX3G07BBGC16
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0023 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-220AB Corrente Continua di Drain Id 130 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 89 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RX3G07BBGC16, 4158115, 415-8115
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