Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4158116 N. Art. Produtt.: SH8ME5TB1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 4.5 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 4.5 A Resistenza RdsON canale N 0.045 ohm Tipo di canale canale N e P Resistenza RdsON canale P 0.07 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ROHM, SH8ME5TB1, 4158116, 415-8116 |
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