Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-4168774 N. Art. Produtt.: R6086YNZ4C13 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 12 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.036 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-247G Corrente Continua di Drain Id 86 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 781 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, R6086YNZ4C13, 4168774, 416-8774 |
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