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YAGEO XSEMI XP2P038N MOSFET, P-CH, 20V, 5A, SOT-23


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N. Articolo:
     8585-4168913
Produttore:
     YAGEO XSEMI
N. Art. Produtt.:
     XP2P038N
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.038 ohm Gamma di prodotti XP2P038 Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.38 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP2P038N, 4168913, 416-8913
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