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YAGEO XSEMI XP10TN135K MOSFET, N-CH, 100V, 3A, SOT-223


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N. Articolo:
     8585-4168994
Produttore:
     YAGEO XSEMI
N. Art. Produtt.:
     XP10TN135K
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.115 ohm Gamma di prodotti XP10TN135K Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor SOT-223 Corrente Continua di Drain Id 3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 2.78 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP10TN135K, 4168994, 416-8994
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