Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4177131 N. Art. Produtt.:
PMPB14XPZ EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.014 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 12.7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-1220 Tensione Drain Source Vds 12 V Dissipazione di potenza 1.8 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 900 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: mosfet 12a, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMPB14XPZ, 4177131, 417-7131 |
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