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ONSEMI NTD4970N-35G MOSFET, CANALE N, 30V, 11.6A, TO-251


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N. Articolo:
     8585-4184809
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTD4970N-35G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.011 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 11.6 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-251 (IPAK) Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 24.6 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTD4970N-35G, 4184809, 418-4809
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