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NEXPERIA GAN080-650EBEZ TRANSISTOR, GAN, 650V, 29A, DFN


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4198478
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     GAN080-650EBEZ
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Resistenza Drain-Source in conduzione 0.06 ohm Carica di gate tipica 6.2 nC Gamma di prodotti - Stile di Case del Transistor DFN8080 Corrente Continua di Drain Id 29 A Tensione Drain Source Vds 650 V Numero di pin 8 Pin Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT)
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), (GaN), Campo, Discreti, Effetto, Nitruro, Semiconduttori, NEXPERIA, GAN080-650EBEZ, 4198478, 419-8478
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