Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4198483 N. Art. Produtt.: GAN3R2-100CBEAZ EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0024 ohm Carica di gate tipica 9.2 nC Gamma di prodotti - Stile di Case del Transistor WLCSP Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Corrente Continua di Drain Id 60 A Tensione Drain Source Vds 100 V Numero di pin 8 Pin |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), (GaN), Campo, Discreti, Effetto, Nitruro, Semiconduttori, NEXPERIA, GAN3R2-100CBEAZ, 4198483, 419-8483 |
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