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NEXPERIA GAN7R0-150LBEZ TRANSISTOR, GAN, 150V, 28A, FCLGA


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4198484
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     GAN7R0-150LBEZ
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0056 ohm Carica di gate tipica 7.6 nC Gamma di prodotti - Stile di Case del Transistor FCLGA Corrente Continua di Drain Id 28 A Tensione Drain Source Vds 150 V Numero di pin 3 Pin Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT)
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), (GaN), Campo, Discreti, Effetto, Nitruro, Semiconduttori, NEXPERIA, GAN7R0-150LBEZ, 4198484, 419-8484
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