VISHAY SI4062DY-T1-GE3 Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione di soglia

Tensione di soglia Gate-Source massima 2.6 V Numero di pin 8 Pin Tensione Drain Source Vds 60 V Stile di Case del Transistor SOIC Tensione di test di Rds(on) 10 V Temperatura di esercizio max 150 °C Qualificazioni - Corrente Continua di Drain Id 32.1 A Tipo di canale N Channel Montaggio Transistore Surface Mount Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0035 ohm Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Gamma di prodotti - Dissipazione di potenza 7.8 W Livello di sensibilità all'umidità (MSL) -