Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585N-2919350 N. Art. Produtt.: SI4062DY-T1-GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di soglia Gate-Source massima 2.6 V Numero di pin 8 Pin Tensione Drain Source Vds 60 V Stile di Case del Transistor SOIC Tensione di test di Rds(on) 10 V Temperatura di esercizio max 150 °C Qualificazioni - Corrente Continua di Drain Id 32.1 A Tipo di canale N Channel Montaggio Transistore Surface Mount Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0035 ohm Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Gamma di prodotti - Dissipazione di potenza 7.8 W Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SI4062DY-T1-GE3, 2919350, 291-9350 |
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