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a partire da € 1,916*
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 60 A, TO-247-3L (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 238 W Tipo di package = TO-247-3L |
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a partire da € 1,92*
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 20 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 20 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 25V Dissipazione di potenza massima = 288 W Tipo di package = PG-TO247-3 |
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a partire da € 1,925*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGW40V60DF |
a partire da € 1,93*
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ST Microelectronics STGWA40IH65DF |
a partire da € 1,93*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 41 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 41 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 166 W Tipo di package = PG-TO247-3... |
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a partire da € 1,95*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (2 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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a partire da € 1,95*
per pezzo |
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 51 A, TO-247GE (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 51 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 156 W Tipo di package = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65GC13 |
a partire da € 1,956*
per pezzo |
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 51 A, TO-247GE (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 51 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 156 W Tipo di package = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65GC13 |
a partire da € 1,979*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 62 A, canale N, PG-TO220 (1 offerta) Infineon IKP39N65ES5 ha la massima densità di potenza con ingombro TO-220 e non richiede componenti per il bloccaggio del gate. In questa caratteristica di caduta di corrente dolce senza corrente d... |
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a partire da € 1,997*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, TO-247 (1 offerta) La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co... |
ST Microelectronics STGWA30H65DFB2 |
a partire da € 2,015*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A, canale N, PG-TO247 (3 offerte) Infineon IKW30N65EL5 ha una tensione di scarica distruttiva di 650V che utilizza una tensione di saturazione molto bassa dellemettitore collettore e una maggiore efficienza per 50Hz. Offre una magg... |
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a partire da € 2,044*
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IGBT Infineon, VCE 1350 V., IC 30 A, canale N, TO-247 (2 offerte) IGBT a conduzione inversa serie IHW Infineon con diodo integrato monoliticamente in un contenitore TO-247 che si concentra sullefficienza e laffidabilità del sistema per i requisiti più esigenti de... |
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a partire da € 2,051*
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a partire da € 2,06*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-263 (1 offerta) La tecnologia TRENCHSTOP IGBT5 Infineon ridefinisce i migliori IGBT della categoria, il che si traduce in una temperatura di giunzione e contenitore più bassa, sinonimo di maggiore affidabilità del... |
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a partire da € 2,06*
per pezzo |
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