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IGBT Infineon, VCE 650 V, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 230 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65WR5XKSA1
a partire da € 2,253*
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 pezzi
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 306 W Tipo di package = PG-TO247...
Infineon
IGW40N60H3FKSA1
a partire da € 2,268*
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 pezzo
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247-3L (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 30 Tipo di package = TO-247-3L
onsemi
FGHL50T65MQDT
a partire da € 2,27*
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 pezzo
IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, H2PAK-2 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = H2PAK-2
ST Microelectronics
STGH30H65DFB-2AG
a partire da € 2,273*
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 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 15 A, canale N, TO-247 (3 offerte) 
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T...
Infineon
IGW15N120H3FKSA1
a partire da € 2,28*
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 pezzo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (2 offerte) 
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS...
Infineon
IKW40N60H3FKSA1
a partire da € 2,283*
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 pezzo
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30.0V Dissipazione di potenza massima = 268 W Tipo di package = TO-247 T...
onsemi
AFGHL50T65SQ
a partire da € 2,288*
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 pezzi
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220 (3 offerte) 
IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi...
IXYS
IXA12IF1200PB
a partire da € 2,29*
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 pezzo
IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 30 A, TO-247N (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 230 W Tipo di package = TO-247N
Bourns
BIDNW30N60H3
a partire da € 2,294*
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 pezzi
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, D2PAK (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 240 W Tipo di package = D2PAK Tipo...
onsemi
AFGB40T65SQDN
a partire da € 2,305*
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 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247-3-HCC (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 103 W Tipo di package = TO-247-3-H...
Infineon
IKWH50N65WR6XKSA1
a partire da € 2,31*
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 pezzi
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (2 offerte) 
Transistor bipolare a gate isolato Infineon con un potente diodo monolitico con bassa tensione diretta progettato per la commutazione graduale.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggi...
Infineon
IHW40N120R5XKSA1
a partire da € 2,33*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 62 A, canale N, TO-247 (3 offerte) 
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS...
Infineon
IKW30N65ES5XKSA1
a partire da € 2,33*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, PG-TO247-3 (2 offerte) 
Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65ET7XKSA1
a partire da € 2,33*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IGW50N65F5FKSA1
a partire da € 2,33*
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