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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

FET digitali, Fairchild Semiconductor

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

MOSFET a canale N QFET®, oltre 31 A, Fairchild Semiconductor. I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prest...

Tipo di package = TO-92 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Dissipazione di potenza massima = 350 mW Numero di elementi per chip = 1

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor. NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di contro...

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adat...

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

Transistor MOSFET RF, Semelab

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor. NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di contro...

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I...

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N, STMicroelectronics. I MOSFET al carburo di silicio (SiC) presentano una resistenza statica drain-source a stato attivo molto bassa per il valore nomin...