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MOSFET onsemi, canale N, 47 mΩ, 16 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (3 offerte) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
RFD16N06LESM9A
a partire da € 0,74*
per pezzo
 
 pezzo
100%
MOSFET onsemi, canale P, 54 mΩ, 7,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale (2 offerte) 
Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor. La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di ...
onsemi
NDT456P
a partire da € 0,884*
per pezzo
 
 pezzo
100%
MOSFET onsemi, canale N, 80 mΩ, 3,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale (3 offerte) 
MOSFET di potenza a canale N, 20 V, ON Semiconductor
onsemi
NTR4501NT1G
a partire da € 0,0719*
per pezzo
 
 pezzo
100%
Infineon
IPP65R045C7XKSA1
a partire da € 6,66*
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 pezzo
100%
MOSFET onsemi, canale N, 5 Ω, 200 mA, TO-92, Su foro (4 offerte) 
MOSFET di potenza versione avanzata, Fairchild Semiconductor. Solida tecnologia a effetto valanga Solida tecnologia a ossido di gate Capacità di ingresso ridotta Carica di gate migliorata
onsemi
2N7000TA
a partire da € 0,0717*
per pezzo
 
 pezzo
100%
MOSFET onsemi, canale P, 550 mΩ, 400 mA, SOT-23, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor
onsemi
NTR0202PLT1G
a partire da € 3,77*
per 50 pezzi
 
 pacchetto
100%
MOSFET onsemi, canale N, 82 mΩ, 40 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 40 A Tensione massima drain source = 650 V Tipo di package = D2PAK (TO-263) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Res...
onsemi
NVB082N65S3F
a partire da € 9,36*
per 2 pezzi
 
 pacchetto
100%
Infineon
IPZ65R045C7XKSA1
a partire da € 6,70*
per pezzo
 
 pezzo
100%
MOSFET onsemi, canale N, 5 Ω, 500 mA, SOT-23, Montaggio superficiale (4 offerte) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
MMBF170
a partire da € 0,0425*
per pezzo
 
 pezzo
100%
MOSFET onsemi, canale P, 70 mΩ, 27 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (3 offerte) 
Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor. La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di ...
onsemi
FQB27P06TM
a partire da € 0,654*
per pezzo
 
 pezzo
100%
MOSFET onsemi, canale N, 90 mΩ, 7,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale (3 offerte) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
NDT451AN
a partire da € 0,396*
per pezzo
 
 pezzo
100%
MOSFET Infineon, canale N, 5,3 mΩ, 160 A, TO-247, Su foro (1 offerta) 
MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adat...
Infineon
IRFP1405PBF
a partire da € 6,84*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
100%
MOSFET onsemi, canale N, 6,3 mΩ, 89 A, SO-8FL, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
NTMFS5C646NLT1G
a partire da € 5,685*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
100%
MOSFET onsemi, canale P, 70 mΩ, 8,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale (2 offerte) 
MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor
onsemi
NTF6P02T3G
a partire da € 0,456*
per pezzo
 
 pezzi
100%
MOSFET onsemi, canale N, 900 mΩ, 540 mA, SOT-563, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 540 mA Tensione massima drain source = 20 V Tipo di package = SOT-563 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 6 Resistenz...
onsemi
NTZD3154NT1G
a partire da € 6,488*
per 100 pezzi
 
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