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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics

MOSFET a canale doppio P, ON Semiconductor

Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex. La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che rich...

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

MOSFET di potenza doppio a canale N, Taiwan Semiconductor

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex. La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che rich...

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor. La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di ...

MOSFET di potenza canale N, Taiwan Semiconductor

MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

Transistor MOSFET con modalità potenziata a canale P Supertex. La gamma di transistor DMOS FET con modalità potenziata a canale P (normally-off) Supertex di Microchip è ideale per una vasta gamma d...

MOSFET di potenza a canale P, 8 V, ON Semiconductor

MOSFET di potenza canale P, Taiwan Semiconductor

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor. La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di ...

Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 125 mA Tensione massima drain source = 400 V Serie = TP2540 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima ...