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MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET integrato con contenitore di tipo DPAK (TO-252). Questo MOSFET è utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza.Con...

Infineon IRFH5300 è una famiglia di MOSFET di potenza resistenti ottimizzati per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 42 A Tensione massima drain source = 55 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...

Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 31 A Tensione massima drain source = 55 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 25 A Tensione massima drain source = 30 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima dra...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 270 A Tensione massima drain source = 40 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dr...

MOSFET di potenza HEXFET a canale p singolo Infineon in contenitore D2-Pak. È dotato di commutazione rapida e con valore nominale a valanga completo. È senza piombo e ha una bassa resistenza in sta...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 42 A Tensione massima drain source = 55 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...

I MOSFET di potenza a canale N OptiMOS di Infineon sono sviluppati per aumentare lefficienza, la densità di potenza e lefficacia in termini di costi. Progettati per applicazioni ad alte prestazioni...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 162 A Tensione massima drain source = 40 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dr...

Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 13 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dr...

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che...

La Infineon IRFHS8342 è una robusta famiglia di MOSFET di potenza IRFET ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bass...