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Corrente massima continuativa collettore = 45 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 150 W Tipo di package = Modulo T...

Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: SP4 Tensione invertita max.: 1,7kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 100A Corrente d...

Corrente massima continuativa collettore = 22 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 81 W Tipo di package = Modulo Ti...

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR Corpo: L3.0 Tensione invertita max.: 650V Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 50A Corrente ...

Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 2300 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 2700 kW Tipo di package = Primo...

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR Corpo: L2.2 Tensione invertita max.: 650V Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 30A Corrente ...

Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 6 Tipo di package = EconoPACK

Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 650V Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 100A Corrent...

Corrente massima continuativa collettore = 117 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 300 W Tipo di package = Modulo ...

Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: SEMiX® 3s Tensione invertita max.: 1,7kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 450A Corrente ...

Corrente massima continuativa collettore = 45 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 150 W Tipo di package = Modulo T...

Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: SEMIX1S Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 150A Corrente de...

Corrente massima continuativa collettore = 2,4 kA Tensione massima collettore emitter = 3.300 V. Numero di transistor = 3 Tipo di package = AG-IHVB190

Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 650V Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 50A Corrente...

Corrente massima continuativa collettore = 27 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 94 W Tipo di package = Modulo Ti...