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IGBT, 1.2kV, 75A, TO-247AD (3 offerte) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IXYH30N120C3, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=3.3 V, Corrente di collettore continua (Ic)=75 A, Corrente di dispersione emettitore=100 nA,... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT, 1.2kV, 90A, TO-247AD (3 offerte) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IXYH40N120C3, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=3.5 V, Corrente di collettore continua (Ic)=90 A, Corrente di dispersione emettitore=100 nA,... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT, 1.7kV, 80A, SOT-227B (3 offerte) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IXYN30N170CV1, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=4 V, Corrente di collettore continua (Ic)=80 A, Corrente di dispersione emettitore=100 nA, ... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 16 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 30 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 100 A, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 188 A, canale N, TO-264 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, canale N, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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