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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 30 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT, 1.2kV, 60A, TO-247 (2 offerte) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IGW60T120FKSA1, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=1.7 V, Corrente di collettore continua (Ic)=60 A, Corrente di dispersione emettitore=600 n... |
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IGBT Infineon, VCE 1350 V, IC 30 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT, 1.2kV, 60A, TO-247 (1 offerta) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=STGW30NC120HD, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=2.75 V, Corrente di collettore continua (Ic)=60 A, Corrente di dispersione emettitore=100 n... |
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IGBT Infineon, VCE 1350 V, IC 30 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 15 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-247 (3 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247 (2 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 88 A, canale N, SOT-227B (3 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 100 A, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT, 1.6kV, 30A, TO-247 (4 offerte) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IHW30N160R5XKSA1, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=1.85 V, Corrente di collettore continua (Ic)=30 A, Corrente di dispersione emettitore=10... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 30 A, canale N, TO-247 (2 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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