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93%

Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 81 A, canale N, SEMITRANS2 (3 offerte)

Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...

Semikron

SKM50GB12T4

a partire da € 49,62*
per pezzo

93%

Modulo IGBT onsemi, Pin a pressione F1-4PACK con materiale di interfaccia termica pre-applicato (TIM) (senza piombo e (1 offerta)

Numero di transistor = 4

onsemi

NXH040F120MNF1PTG

a partire da € 89,901*
per pezzo

93%

Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 101 A, Q2BOOST - contenitore 180BG (pin a pressione senza piombo e alogenuro) (2 offerte)

Corrente massima continuativa collettore = 101 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 2

onsemi

NXH450B100H4Q2F2PG

a partire da € 164,37*
per pezzo

93%

Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 101 A, Q2BOOST - contenitore 180BR (pin a saldare senza piombo e alogenuro) (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 101 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 2

onsemi

NXH450B100H4Q2F2SG

a partire da € 162,08*
per pezzo

93%

Modulo IGBT onsemi, Pin a pressione F1-4PACK con materiale di interfaccia termica pre-applicato (TIM) (senza piombo e (1 offerta)

Dissipazione di potenza massima = 119 W

onsemi

NXH020F120MNF1PTG

a partire da € 3.552,22812*
per 28 pezzi

93%

Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 101 A, Q2BOOST - contenitore 180BG (pin a pressione senza piombo e alogenuro) (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 101 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W

onsemi

NXH450B100H4Q2F2PG

a partire da € 180,115*
per pezzo

93%

Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (PRESSFIT) (pin senza piombo e senza alogenuro a pressione), Q2BOOST - (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 73 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W

onsemi

NXH300B100H4Q2F2PG

a partire da € 5.503,65804*
per 36 pezzi

93%

Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (pin A SALDARE) (pin a saldare senza piombo e senza alogenuro), Q2BOOST (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 73 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W

onsemi

NXH300B100H4Q2F2SG

a partire da € 326,886*
per pezzo

93%

Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 101 A, Q2BOOST - contenitore 180BR (pin a saldare senza piombo e alogenuro) (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 101 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W

onsemi

NXH450B100H4Q2F2SG

a partire da € 5.880,78*
per 36 pezzi

93%

Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (PRESSFIT) (pin senza piombo e senza alogenuro a pressione), Q2BOOST - (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 73 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 6

onsemi

NXH300B100H4Q2F2PG

a partire da € 162,173*
per pezzo

93%

Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 61 A, Pin a saldare per contenitore 180AJ (senza piombo e alogenuro) (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 61 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W

onsemi

NXH100B120H3Q0SG

a partire da € 124,056*
per pezzo

93%

Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (pin A SALDARE) (pin a saldare senza piombo e senza alogenuro), Q2BOOST (2 offerte)

Corrente massima continuativa collettore = 73 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 6

onsemi

NXH300B100H4Q2F2SG

a partire da € 149,053*
per pezzo

93%

IGBT Vishay, VCE 650 V, IC 59 A, canale N, SOT-227 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 59 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ± 20V Dissipazione di potenza massima = 163 W Tipo di package = SOT-227 T...

Vishay

VS-GT50LA65UF

a partire da € 26,389*
per pezzo

93%

Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 61 A, Pin a saldare per contenitore 180AJ (senza piombo e alogenuro) (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 61 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 2

onsemi

NXH100B120H3Q0SG

a partire da € 1.441,48608*
per 24 pezzi

93%

IGBT Vishay, VCE 600 V, IC 81 A, canale N, SOT-227 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 81 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ± 20V Dissipazione di potenza massima = 231 W Tipo di package = SOT-227 T...

Vishay

VS-GT75LA60UF

a partire da € 254,91*
per 10 pezzi

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