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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247 (3 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 105 A, canale N, SOT-227B (3 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 15 A, canale N, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 165 A, canale N, SOT-227B (3 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT, 1.2kV, 16A, TO-247 (1 offerta) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IGW08T120FKSA1, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=2.2 V, Corrente di collettore continua (Ic)=16 A, Corrente di dispersione emettitore=100 n... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 188 A, canale N, TO-264 (3 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 225 A, canale N, PLUS247 (4 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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