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Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 512k x 16 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 32bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 400 µohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale can...

Alta velocità tAA = 10 ns Codice di correzione degli errori (ECC) incorporato per la correzione degli errori a singolo bit Bassa potenza attiva ICC = 90 ma tipico Bassa potenza di standby CMOS ISB2...

FRAM, Cypress Semiconductor. La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili pe...

Dimensioni memoria = 4kbit Organizzazione = 512M x 8 bit Interfacce = Seriale SPI Larghezza del bus dati = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 20ns Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Ti...

Velocità molto elevata: 45 ns Gamma di tensione: Da 4,5 V a 5,5 V. Pin compatibile con CY62148B Bassissima potenza in standby Corrente di standby tipica: 1 μA Corrente di standby massima: 7 μA (ind...

Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128000 byte x 8 bit Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 15ns Frequenza di clock = 104MHz Bassa pot...

FRAM, Cypress Semiconductor. La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili pe...